सेमीकंडक्टर डिवाइस - बैरियर संभावित

एन-प्रकार और पी-प्रकार की सामग्री को एक सामान्य जंक्शन पर एक साथ शामिल होने से पहले विद्युत रूप से तटस्थ माना जाता है। हालांकि, प्रसार में शामिल होने के बाद तुरंत होता है, क्योंकि इलेक्ट्रॉन पी सामग्री में नकारात्मक आयनों को भरने के लिए जंक्शन को पार करते हैं, इस क्रिया के कारण जंक्शन के पास का क्षेत्र नकारात्मक चार्ज पर ले जाता है। इलेक्ट्रॉनों एन सामग्री को छोड़ने के कारण यह सकारात्मक आयन उत्पन्न करता है।

यह सब प्रक्रिया, बदले में, जंक्शन के एन पक्ष को शुद्ध सकारात्मक चार्ज लेने का कारण बनती है। यह विशेष चार्ज निर्माण शेष इलेक्ट्रॉनों को मजबूर करने और जंक्शन से दूर छेद करने के लिए जाता है। यह कार्रवाई अन्य चार्ज वाहक के लिए जंक्शन में फैलाने के लिए कुछ हद तक कठिन बना देती है। नतीजतन, चार्ज का निर्माण होता है या जंक्शन पर अवरोध क्षमता उभरती है।

जैसा कि निम्नलिखित आकृति में दिखाया गया है। परिणामी बाधा क्षमता में पीएन जंक्शन में एक छोटी बैटरी जुड़ी होती है। दिए गए आंकड़े में पी और एन सामग्री के संबंध में इस संभावित बाधा की ध्रुवीयता का निरीक्षण करें। यह वोल्टेज या क्षमता तब मौजूद होगी जब क्रिस्टल ऊर्जा के किसी बाहरी स्रोत से जुड़ा नहीं हो।

जर्मेनियम की बाधा क्षमता लगभग 0.3 V है, और सिलिकॉन 0.7 V है। इन मूल्यों को सीधे मापा नहीं जा सकता है और जंक्शन के अंतरिक्ष प्रभारी क्षेत्र में दिखाई देता है। वर्तमान चालन का उत्पादन करने के लिए, एक पीएन जंक्शन की बाधा क्षमता को बाहरी वोल्टेज स्रोत द्वारा दूर किया जाना चाहिए।