Elettronica di potenza - MOSFET
Il transistor a effetto di campo a semiconduttore di ossido di metallo (MOSFET) è un tipo di transistor utilizzato per commutare i segnali elettronici. Ha quattro terminali vale a dire; source (S), Drain (D), Gate (G) e Body (B) .Il corpo del MOSFET è normalmente collegato al terminale della sorgente (S), il che si traduce in un dispositivo a tre terminali simile ad altri transistor ad effetto di campo ( FET). Poiché questi due terminali principali sono solitamente interconnessi tramite cortocircuito, solo tre terminali sono visibili negli schemi elettrici.
È il dispositivo più comune nei circuiti sia digitali che analogici. Rispetto al normale transistor, un MOSFET necessita di bassa corrente (meno di un mill-ampere) per accendersi. Allo stesso tempo, fornisce un carico di corrente elevato di oltre 50 ampere.
Funzionamento di un MOSFET
Il MOSFET ha un sottile strato di biossido di silicio, che funge da piastra di un condensatore. L'isolamento del gate di controllo innalza la resistenza del MOSFET a livelli estremamente elevati (quasi infiniti).
Il terminale di gate è escluso dal percorso della corrente primaria; quindi, nessuna corrente fuoriesce dal cancello.
I MOSFET esistono in due forme principali:
Depletion state- Ciò richiede la tensione gate-source (V GB ) per spegnere il componente. Quando il gate è a zero (V GB ) il dispositivo è normalmente ON, quindi funziona come un resistore di carico per determinati circuiti logici. Per i dispositivi di caricamento con esaurimento di tipo N, 3V è la tensione di soglia in cui il dispositivo viene spento commutando il gate a 3V negativo.
Enhancement state- La tensione gate-source (V GB ) è necessaria in questo stato per accendere il componente. Quando il gate è a zero (V GB ) il dispositivo è normalmente spento e può essere acceso assicurandosi che la tensione del gate sia superiore alla tensione di source.
Simbolo e costruzione di base
Dove, D - Scolare; G - Cancello; S- Fonte; eSub - Substrato