Dispositivi a semiconduttore - Corrente di dispersione
Un'importante limitazione di conduzione del diodo a giunzione PN è leakage current. Quando un diodo è polarizzato inversamente, la larghezza della regione di svuotamento aumenta. Generalmente, questa condizione è richiesta per limitare l'accumulo di portante corrente vicino alla giunzione. La maggior parte dei portatori di corrente sono principalmente negati nella regione di esaurimento e quindi la regione di esaurimento funge da isolante. Normalmente, i portatori attuali non passano attraverso un isolante.
Si è visto che in un diodo a polarizzazione inversa, una parte della corrente scorre attraverso la regione di esaurimento. Questa corrente è chiamata corrente di dispersione. La corrente di dispersione dipende dai vettori attuali di minoranza. Come sappiamo, i portatori minoritari sono gli elettroni nel materiale di tipo P e buchi nel materiale di tipo N.
La figura seguente mostra come reagiscono i portatori di corrente quando un diodo è polarizzato inversamente.
Di seguito sono riportate le osservazioni:
I portatori di minoranza di ciascun materiale vengono spinti attraverso la zona di esaurimento fino alla giunzione. Questa azione causa una corrente di dispersione molto piccola. In generale, la corrente di dispersione è così piccola da poter essere considerata trascurabile.
Qui, in caso di corrente di dispersione, la temperatura gioca un ruolo importante. Gli attuali portatori minoritari dipendono principalmente dalla temperatura.
A temperature ambiente di 25 ° C o 78 ° F, c'è una quantità trascurabile di portatori minoritari presenti in un diodo di polarizzazione inversa.
Quando la temperatura circostante aumenta, provoca un aumento significativo nella creazione di portatori minoritari e di conseguenza provoca un corrispondente aumento della corrente di dispersione.
In tutti i diodi a polarizzazione inversa, la presenza di corrente di dispersione è normale in una certa misura. Nei diodi al germanio e al silicio, la corrente di dispersione è solo di pochemicroamperes e nanoamperes, rispettivamente. Il germanio è molto più suscettibile alla temperatura del silicio. Per questo motivo, principalmente il silicio viene utilizzato nei moderni dispositivi a semiconduttore.