Transistörün Çalışma Bölgeleri
DC kaynağı, bir transistörün çalışması için sağlanır. Bu DC kaynağı, bu yayıcı ve kolektör bağlantılarındaki çoğunluk taşıyıcıların eylemlerini etkileyen bir transistörün iki PN bağlantısına verilir.
Kavşaklar ileriye dönüktür ve gereksinimlerimize göre ters önyargılıdır. Forward biased p-tipine pozitif gerilimin ve n-tipi malzemeye negatif gerilimin uygulandığı durumdur. Reverse biased n-tipine pozitif, p-tipi malzemeye negatif gerilim uygulandığı durumdur.
Transistör Önyargısı
Uygun harici dc gerilimin beslenmesine biasing. Transistörün yayıcı ve toplayıcı bağlantılarına ileri veya geri öngerilim yapılır.
Bu öngerilim yöntemleri, transistör devresinin aşağıdaki gibi dört tür bölgede çalışmasını sağlar: Active region, Saturation region, Cutoff region ve Inverse active region(nadiren kullanılır). Bu, aşağıdaki tabloya bakılarak anlaşılır.
Verici Kavşağı | Kollektör Buat | Faaliyet Bölgesi |
---|---|---|
İleri taraflı | İleri taraflı | Doygunluk bölgesi |
İleri taraflı | Ters taraflı | Aktif bölge |
Ters taraflı | İleri taraflı | Ters aktif bölge |
Ters taraflı | Ters taraflı | Kesim bölgesi |
Bu bölgeler arasında aktif bölgenin tam tersi olan Ters aktif bölge herhangi bir uygulama için uygun olmadığı için kullanılmamaktadır.
Aktif Bölge
Bu, transistörlerin birçok uygulamaya sahip olduğu bölgedir. Bu aynı zamandalinear region. Bu bölgedeyken bir transistör, birAmplifier.
Aşağıdaki devre şeması, aktif bölgede çalışan bir transistörü göstermektedir.
Bu bölge doygunluk ve kesme arasında yer alır. Transistör, verici bağlantısı ileri eğilimli olduğunda ve kolektör bağlantısı ters eğilimli olduğunda aktif bölgede çalışır.
Aktif durumda, kollektör akımı temel akımın β katıdır, yani
$$ I_C = \ beta I_B $$
Burada C = kollektör akımı, β = akım yükseltme faktörü ve I B = temel akım.
Doygunluk Bölgesi
Bu, transistörün kapalı bir anahtar gibi davranma eğiliminde olduğu bölgedir. Transistör, toplayıcısının ve vericinin kısa devre yapması etkisine sahiptir. Kollektör ve yayıcı akımları bu çalışma modunda maksimumdur.
Aşağıdaki şekil doygunluk bölgesinde çalışan bir transistörü göstermektedir.
Transistör, hem yayıcı hem de toplayıcı bağlantıları ileri doğru eğilimli olduğunda doyma bölgesinde çalışır.
Doygunluk modunda,
$$ \ beta <\ frac {I_C} {I_B} $$
Doygunluk bölgesinde olduğu gibi, transistör kapalı bir anahtar gibi davranma eğilimindedir,
$$ I_C = I_E $$
Ben C = kollektör akımı ve I E = emitör akımı.
Kesim Bölgesi
Bu, transistörün açık bir anahtar gibi davranma eğiliminde olduğu bölgedir. Transistör, kollektörünün ve tabanının açılma etkisine sahiptir. Bu çalışma modunda toplayıcı, yayıcı ve temel akımların tümü sıfırdır.
Aşağıdaki şekil, kesme bölgesinde çalışan bir transistörü göstermektedir.
Transistör, hem yayıcı hem de toplayıcı bağlantıları ters eğilimli olduğunda kesme bölgesinde çalışır.
Kesme bölgesinde olduğu gibi kollektör akımı, emitör akımı ve taban akımları sıfırdır, şöyle yazabiliriz
$$ I_C = I_E = I_B = 0 $$
Ben C = kollektör akımı, I E = yayıcı akım ve I B = temel akım.