Aufbau eines Transistors

Im Folgenden sind einige Herstellungstechniken aufgeführt, die beim Aufbau eines Transistors verwendet werden:

Diffusionstyp

Bei diesem Verfahren wird der Halbleiterwafer einer gewissen Gasdiffusion von Verunreinigungen vom N-Typ und P-Typ ausgesetzt, um Emitter- und Kollektorübergänge zu bilden. Zunächst wird der Basis-Kollektor-Übergang unmittelbar vor der Basisdiffusion bestimmt und photogeätzt. Später wird der Emitter auf der Basis diffundiert. Mit dieser Technik hergestellte Transistoren weisen eine bessere Rauschzahl auf, und es ist auch eine Verbesserung der Stromverstärkung zu sehen.

Gewachsener Typ

Es entsteht durch Ziehen eines Einkristalls aus geschmolzenem Silizium oder Germanium. Die erforderliche Verunreinigungskonzentration wird während des Kristallziehvorgangs hinzugefügt.

Epitaktischer Typ

Eine sehr hochreine und dünne Einkristallschicht aus Silizium oder Germanium wird auf einem stark dotierten Substrat des gleichen Typs gezüchtet. Diese verbesserte Version des Kristalls bildet den Kollektor, auf dem die Emitter- und Basisübergänge gebildet werden.

Legierungstyp

Bei diesem Verfahren besteht der Basisabschnitt aus einer dünnen Scheibe aus Material vom N-Typ. An den gegenüberliegenden Seiten der Scheibe sind zwei kleine Indiumpunkte angebracht, und die gesamte Formation wird für eine kürzere Zeit auf einer hohen Temperatur gehalten. Die Temperatur würde über der Schmelztemperatur von Indium und unter Germanium liegen. Diese Technik wird auch als Schmelzkonstruktion bezeichnet.

Elektrochemisch geätzter Typ

Bei diesem Verfahren wird auf den gegenüberliegenden Seiten eines Halbleiterwafers eine Vertiefung geätzt, um die Breite des Basisbereichs zu verringern. Dann wird ein geeignetes Metall in den Vertiefungsbereich galvanisiert, um Emitter- und Kollektorübergänge zu bilden.