パルス回路-ユニジャンクショントランジスタ

ユニジャンクショントランジスタは、単一のPN接合を備えていますが、ダイオードは備えていないトランジスタです。ユニジャンクショントランジスタ、または単にUJT通常のトランジスタとは異なり、エミッタと2つのベースがあります。この部品は、その負性抵抗特性と緩和発振器としての用途で特に有名です。

UJTの建設

高抵抗のn型シリコンの棒が基本構造を形成すると考えられています。2つのオーミックコンタクトが両端に描かれ、両端がベースになっています。それにエミッタとなるアルミ棒状の構造物が取り付けられています。このエミッタは、ベース2の近くにあり、ベース1から少し離れています。これらの両方が結合してPN接合を形成します。単一のPN接合が存在するため、このコンポーネントはUnijunction transistor

と呼ばれる内部抵抗 intrinsic resistance抵抗値がバーのドーピング濃度に依存するバーの内部に存在します。UJTの構造と記号は以下のとおりです。

記号では、エミッターは傾斜した矢印で示され、残りの2つの端はベースを示します。UJTはダイオードと抵抗の組み合わせとして理解されているため、UJTの内部構造は、UJTの動作を説明するための同等の図で示すことができます。

UJTの働き

UJTの動作は、その等価回路で理解できます。エミッタに印加される電圧はVとして示されているEと内部抵抗をRとして示されるB1とR B2はそれぞれベース1及び2に。内部に存在する両方の抵抗は、まとめて次のように呼ばれます。intrinsic resistance、Rとして示さBB。RB1の両端の電圧はVと表記することができる1。回路が機能するために印加されるDC電圧はVBBです。

UJTの等価回路は以下のとおりです。

最初は電圧が印加されていないとき、

$$ V_E = 0 $$

その後、電圧V BBは、 Rのを通して適用されるB2。ダイオードDは逆バイアスになります。ダイオード両端の電圧は、エミッタダイオードのバリア電圧であるVBになります。VのアプリケーションのためにBB、いくつかの電圧がポイントA.そうで表示され、合計電圧はVになりますA + V B

ここで、エミッタ電圧V Eが増加すると、電流I EがダイオードDを流れます。この電流により、ダイオードは順方向にバイアスされます。キャリアが誘導され、抵抗RB1が減少し続けます。したがって、Rの両端の電位B1 V手段B1はさらに減少します。

$$ V_ {B1} = \ left(\ frac {R_ {B1}} {R_ {B1} + R_ {B2}} \ right)V_ {BB} $$

V BBは一定であり、チャネルのドーピング濃度によりR B1が最小値まで減少するため、VB1も減少します。

実際、内部に存在する抵抗はまとめて次のように呼ばれます。 intrinsic resistance、Rとして示さBB。上記の抵抗は次のように示すことができます

$$ R_ {BB} = R_ {B1} + R_ {B2} $$

$$ \ left(\ frac {R_ {B1}} {R_ {BB}} \ right)= \ eta $$

記号ηは、適用される総抵抗を表すために使用されます。

したがって、VB1の両端の電圧は次のように表されます。

$$ V_ {B1} = \ eta V_ {BB} $$

エミッタ電圧は次のように与えられます

$$ V_E = V_D + V_ {B1} $$

$$ V_E = 0.7 + V_ {B1} $$

ここで、V Dは、ダイオードの両端の電圧です。

ダイオードが順方向にバイアスされると、ダイオードの両端の電圧は0.7Vになります。したがって、これは一定であり、VB1は減少し続けます。したがって、V Eは減少していきます。これは、V表すことができる最小値に減少Vをと呼ばれますValley voltage。UJTがオンになる電圧はPeak VoltageVと表記P

VIUJTの特徴

これまでに説明した概念は、以下のグラフから明確に理解できます。

Vとき最初Eがゼロであるの値に達する時点をVEまで、いくつかの逆電流Ieが流れます。

$$ V_E = \ eta V_ {BB} $$

これは、曲線がY軸に接する点です。

VときEはどこ電圧に到達します

$$ V_E = \ eta V_ {BB} + V_D $$

この時点で、ダイオードは順方向にバイアスされます。

この時点での電圧はVPPeak Voltage)そしてこの時点での電流はI PPeak Current)。これまでのグラフの部分は、Cut off region UJTがオフ状態だったので。

ここで、V Eがさらに増加すると、抵抗R B1、次に電圧V 1も減少しますが、それを流れる電流は増加します。これはNegative resistance property したがって、この領域は次のように呼ばれます。 Negative resistance region

ここで、電圧V Eは、 Rの両端の電圧の増加にさらなる増加リード特定の点に到達B1。この時点での電圧はVVValley Voltage)そしてこの時点での電流はI VValley Current)。この後の領域は、Saturation region

UJTのアプリケーション

UJTは、弛張発振器として最も顕著に使用されます。これらは、位相制御回路でも使用されます。さらに、UJTは、デジタル回路のクロック、さまざまなデバイスのタイミング制御、サイリスタの制御された発火、およびCROの水平偏向回路の同期パルスを提供するために広く使用されています。