パルス回路-ユニジャンクショントランジスタ

ユニジャンクショントランジスタは、単一のPN接合を備えていますが、ダイオードは備えていないトランジスタです。ユニジャンクショントランジスタ、または単にUJT通常のトランジスタとは異なり、エミッタと2つのベースがあります。この部品は、その負性抵抗特性と緩和発振器としての用途で特に有名です。

UJTの建設

高抵抗のn型シリコンの棒が基本構造を形成すると考えられています。2つのオーミックコンタクトが両端に描かれ、両端がベースになっています。それにエミッタとなるアルミ棒状の構造物が取り付けられています。このエミッタは、ベース2の近くにあり、ベース1から少し離れています。これらの両方が結合してPN接合を形成します。単一のPN接合が存在するため、このコンポーネントはUnijunction transistor。

と呼ばれる内部抵抗 intrinsic resistance抵抗値がバーのドーピング濃度に依存するバーの内部に存在します。UJTの構造と記号は以下のとおりです。

記号では、エミッターは傾斜した矢印で示され、残りの2つの端はベースを示します。UJTはダイオードと抵抗の組み合わせとして理解されているため、UJTの内部構造は、UJTの動作を説明するための同等の図で示すことができます。

UJTの働き

UJTの動作は、その等価回路で理解できます。エミッタに印加される電圧はVとして示されている_Eと内部抵抗をRとして示される_B1とR _B2はそれぞれベース1及び2に。内部に存在する両方の抵抗は、まとめて次のように呼ばれます。intrinsic resistance、Rとして示さ_BB。RB1の両端の電圧はVと表記することができる₁。回路が機能するために印加されるDC電圧は_VBBです。

UJTの等価回路は以下のとおりです。

最初は電圧が印加されていないとき、

$$ V_E = 0 $$

その後、電圧V _BBは、 Rのを通して適用される_B2。ダイオードDは逆バイアスになります。ダイオード両端の電圧は、エミッタダイオードのバリア電圧であるVBになります。Vのアプリケーションのために_BB、いくつかの電圧がポイントA.そうで表示され、合計電圧はVになります_A + V _B。

ここで、エミッタ電圧V _Eが増加すると、電流I _EがダイオードDを流れます。この電流により、ダイオードは順方向にバイアスされます。キャリアが誘導され、抵抗_RB1が減少し続けます。したがって、Rの両端の電位_B1 V手段_B1はさらに減少します。

$$ V_ {B1} = \ left（\ frac {R_ {B1}} {R_ {B1} + R_ {B2}} \ right）V_ {BB} $$

V _BBは一定であり、チャネルのドーピング濃度によりR _B1が最小値まで減少するため、_VB1も減少します。

実際、内部に存在する抵抗はまとめて次のように呼ばれます。 intrinsic resistance、Rとして示さ_BB。上記の抵抗は次のように示すことができます

$$ R_ {BB} = R_ {B1} + R_ {B2} $$

$$ \ left（\ frac {R_ {B1}} {R_ {BB}} \ right）= \ eta $$

記号ηは、適用される総抵抗を表すために使用されます。

したがって、_VB1の両端の電圧は次のように表されます。

$$ V_ {B1} = \ eta V_ {BB} $$

エミッタ電圧は次のように与えられます

$$ V_E = V_D + V_ {B1} $$

$$ V_E = 0.7 + V_ {B1} $$

ここで、V _Dは、ダイオードの両端の電圧です。

ダイオードが順方向にバイアスされると、ダイオードの両端の電圧は0.7Vになります。したがって、これは一定であり、_VB1は減少し続けます。したがって、V _Eは減少していきます。これは、V表すことができる最小値に減少_Vをと呼ばれますValley voltage。UJTがオンになる電圧はPeak VoltageVと表記_P。