Darbe Devreleri - Birleşimli Transistör
Unijunction Transistor, tek bir PN bağlantısına sahip olan, ancak yine de bir diyotu olmayan böyle bir transistördür. Unijunction Transistör veya basitçeUJTnormal bir transistörün aksine bir yayıcı ve iki tabana sahiptir. Bu bileşen özellikle negatif direnç özelliği ve ayrıca gevşeme osilatörü olarak uygulanmasıyla ünlüdür.
UJT'nin yapımı
Yüksek dirençli n-tipi silikondan bir çubuğun temel yapıyı oluşturduğu düşünülmektedir. Her iki uçta da baz olmak üzere iki Ohmik kontak çizilir. Emitör haline gelen alüminyum çubuk benzeri bir yapı üzerine eklenmiştir. Bu yayıcı, baz 2'ye yakın ve baz 1'e biraz uzaktır. Bunların her ikisi de bir PN bağlantısı oluşturmak için birleşir. Tek bir PN bağlantısı mevcut olduğundan, bu bileşene birUnijunction transistor.
Olarak adlandırılan bir iç direnç intrinsic resistanceDirenç değeri çubuğun katkı konsantrasyonuna bağlı olan çubuğun içinde bulunur. UJT'nin yapısı ve sembolü aşağıda gösterildiği gibidir.
Sembolde, yayıcı eğimli bir okla gösterilir ve kalan iki uç, tabanları gösterir. UJT, diyot ve bazı dirençlerin bir kombinasyonu olarak anlaşıldığından, UJT'nin iç yapısı, UJT'nin çalışmasını açıklamak için eşdeğer bir diyagramla gösterilebilir.
UJT'nin Çalışması
UJT'nin çalışması eşdeğer devresi ile anlaşılabilir. Emitörde uygulanan gerilim V E olarak belirtilir ve iç dirençler sırasıyla 1 ve 2 bazlarında R B1 ve R B2 olarak gösterilir. Dahili olarak mevcut olan her iki direnç birlikte adlandırılırintrinsic resistance, R BB olarak belirtilmiştir . RB1'deki voltaj V 1 olarak gösterilebilir . Devrenin çalışması için uygulanan dc voltajı V BB'dir .
UJT eşdeğer devresi aşağıda verildiği gibidir.
Başlangıçta voltaj uygulanmadığında,
$$ V_E = 0 $$
Ardından V BB gerilimi R B2 üzerinden uygulanır . Diyot D ters yönde olacaktır. Diyot üzerindeki voltaj, yayıcı diyotun bariyer voltajı olan VB olacaktır. V BB uygulamasına bağlı olarak , A noktasında bir miktar voltaj görünür. Dolayısıyla, toplam voltaj V A + V B olacaktır .
Şimdi, eğer yayıcı voltajı V E arttırılırsa, akım I E diyot D içinden akar. Bu akım, diyotu ileri doğru yönlendirir. Taşıyıcılar indüklenir ve R B1 direnci azalmaya devam eder. Bu nedenle, V B1 anlamına gelen R B1 boyunca potansiyel de azalır.
$$ V_ {B1} = \ left (\ frac {R_ {B1}} {R_ {B1} + R_ {B2}} \ sağ) V_ {BB} $$
V BB sabit olduğundan ve R B1 kanalın doping konsantrasyonundan dolayı minimum değerine düştüğü için V B1 de azalır.
Aslında, dahili olarak mevcut olan dirençler, birlikte intrinsic resistance, R BB olarak belirtilmiştir . Yukarıda belirtilen direnç şu şekilde gösterilebilir:
$$ R_ {BB} = R_ {B1} + R_ {B2} $$
$$ \ left (\ frac {R_ {B1}} {R_ {BB}} \ sağ) = \ eta $$
Η sembolü, uygulanan toplam direnci temsil etmek için kullanılır.
Bu nedenle, V B1'deki voltaj şu şekilde temsil edilir:
$$ V_ {B1} = \ eta V_ {BB} $$
Verici voltajı şu şekilde verilir:
$$ V_E = V_D + V_ {B1} $$
$$ V_E = 0.7 + V_ {B1} $$
V D , diyot boyunca voltajdır.
Diyot öne doğru eğildikçe, üzerindeki voltaj 0,7v olacaktır. Yani bu sabittir ve V B1 azalmaya devam eder. Dolayısıyla V E azalmaya devam ediyor. V V olarak adlandırılabilecek en düşük değere düşer.Valley voltage. UJT'nin AÇIK konuma geldiği voltaj,Peak VoltageV P olarak gösterilir .
VI UJT'nin Özellikleri
Şimdiye kadar tartışılan kavram, aşağıda gösterilen aşağıdaki grafikten açıkça anlaşılmaktadır.
Başlangıçta V E sıfır olduğunda, bazı ters akım IE'leri, VE'nin değeri bir noktaya ulaşana kadar akar.
$$ V_E = \ eta V_ {BB} $$
Bu, eğrinin Y eksenine temas ettiği noktadır.
V E bir voltaja ulaştığında
$$ V_E = \ eta V_ {BB} + V_D $$
Bu noktada, diyot öne doğru eğilir.
Bu noktadaki gerilime V P (Peak Voltage) ve bu noktadaki akıma I P (Peak Current). Grafikte şimdiye kadarki kısım şu şekilde adlandırılır:Cut off region UJT KAPALI durumdayken.
Şimdi, V E daha da arttığında, R B1 direnci ve ardından V 1 voltajı da azalır, ancak içinden geçen akım artar. BuNegative resistance property ve bu nedenle bu bölgeye Negative resistance region.
Şimdi, V E voltajı, daha fazla artışın R B1 boyunca voltajda artışa yol açtığı belirli bir noktaya ulaşır . Bu noktadaki gerilime V V (Valley Voltage) ve bu noktadaki akıma I V (Valley Current). Bundan sonraki bölge olarak adlandırılırSaturation region.
UJT uygulamaları
UJT'ler en belirgin şekilde gevşeme osilatörleri olarak kullanılır. Faz Kontrol Devrelerinde de kullanılırlar. Ek olarak, UJT'ler dijital devreler için saat, çeşitli cihazlar için zamanlama kontrolü, tristörlerde kontrollü ateşleme ve CRO'da yatay saptırma devreleri için darbeli senkronizasyon sağlamak için yaygın olarak kullanılır.