Bir Transistörün Yapısı

Aşağıda bir transistörün yapımında kullanılan bazı üretim teknikleri verilmiştir -

Difüzyon Tipi

Bu yöntemde, yarı iletken levhası, emitör ve toplayıcı bağlantılarını oluşturmak için hem N tipi hem de P tipi safsızlıkların bir miktar gazlı difüzyonuna tabi tutulur. İlk olarak, taban-kolektör bağlantısı belirlenir ve taban difüzyonundan hemen önce foto-aşındırılır. Daha sonra emitör tabanda yayılır. Bu teknikle üretilen transistörler daha iyi gürültü rakamına sahiptir ve akım kazancında iyileşme de görülmektedir.

Yetiştirilen Tip

Erimiş silikon veya germanyumdan tek bir kristal çekilerek oluşturulur. Kristal çekme işlemi sırasında gerekli safsızlık konsantrasyonu eklenir.

Epitaksiyel Tip

Çok yüksek saflıkta ve ince tek kristalli bir silikon veya germanyum tabakası, aynı tipte yoğun şekilde katkılı bir substrat üzerinde büyütülür. Kristalin bu geliştirilmiş versiyonu, üzerinde yayıcı ve taban bağlantılarının oluşturulduğu toplayıcıyı oluşturur.

Alaşım Tipi

Bu yöntemde taban bölümü ince bir dilim N tipi malzemeden yapılır. Dilimin zıt taraflarına iki küçük İndiyum noktası eklenir ve tüm oluşum daha kısa bir süre için yüksek bir sıcaklıkta tutulur. Sıcaklık, Indium'un erime sıcaklığının üzerinde ve Germanyumun altında olacaktır. Bu teknik aynı zamanda erimiş yapı olarak da bilinir.

Elektrokimyasal Olarak Kazınmış Tip

Bu yöntemde, bir yarı iletken gofretin zıt taraflarında, taban bölgesinin genişliğini azaltmak için girinti oyulur. Daha sonra emitör ve toplayıcı bağlantılarını oluşturmak için girinti alanına uygun bir metal elektroliz edilir.