Yarı İletken Cihazlar - JFET Önyargı
JFET'e önyargılı davranmak için kullanılan iki yöntem vardır: Kendinden Önyargı Yöntemi ve Potansiyel Bölme Yöntemi. Bu bölümde, bu iki yöntemi ayrıntılı olarak tartışacağız.
Öz Önyargı Yöntemi
Aşağıdaki şekil, n-kanal JFET'in kendi kendine önyargı yöntemini göstermektedir. Boşaltma akımı içinden akarRsve gerekli ön gerilimini üretir. Bu nedenle,Rs önyargı direnci.
Bu nedenle, öngerilim direnci boyunca voltaj,
$$V_s = I_{DRS}$$
Bildiğimiz gibi, kapı akımı ihmal edilebilir derecede küçüktür, kapı terminali DC toprakta, V G = 0,
$$V_{GS} = V_G - V_s = 0 - I_{DRS}$$
Veya $V_{GS} = -I_{DRS}$
V GS , geçidi kaynağa doğru negatif tutar.
Gerilim Bölücü Yöntemi
Aşağıdaki şekil, JFET'lerin gerilim bölücü yöntemini göstermektedir. Burada direnç R 1 ve R 2 , boşaltma besleme voltajı (V DD ) boyunca bir voltaj bölücü devre oluşturur ve transistör öngeriliminde kullanılanla aşağı yukarı aynıdır.
R 2 üzerindeki voltaj gerekli önyargıyı sağlar -
$$V_2 = V_G = \frac{V_{DD}}{R_1 + R_2} \times R_2$$
$= V_2 + V_{GS} + I_D + R_S$
Veya $V_{GS} = V_2 - I_{DRS}$
Devre, V GS her zaman negatif olacak şekilde tasarlanmıştır . Çalışma noktası aşağıdaki formül kullanılarak bulunabilir -
$$I_D = \frac{V_2 - V_{GS}}{R_S}$$
ve $V_{DS} = V_{DD} - I_D(R_D + R_S)$