전력 전자-MOSFET

금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터 (MOSFET)는 전자 신호를 전환하는 데 사용되는 트랜지스터 유형입니다. 즉, 4 개의 터미널이 있습니다. 소스 (S), 드레인 (D), 게이트 (G) 및 바디 (B) MOSFET의 바디는 일반적으로 소스 (S)의 단자에 연결되어 다른 전계 효과 트랜지스터와 유사한 3 단자 장치 ( FET). 이 두 개의 주요 단자는 일반적으로 단락을 통해 상호 연결되므로 전기 다이어그램에는 세 개의 단자 만 표시됩니다.

디지털 및 아날로그 회로에서 가장 일반적인 장치입니다. 일반 트랜지스터에 비해 MOSFET은 스위치를 켜기 위해 낮은 전류 (1 밀리 암페어 미만)가 필요합니다. 동시에 50A 이상의 고전류 부하를 제공합니다.

MOSFET의 작동

MOSFET에는 커패시터 플레이트 역할을하는 얇은 이산화 규소 층이 있습니다. 제어 게이트의 절연은 MOSFET의 저항을 매우 높은 수준 (거의 무한)으로 높입니다.

게이트 터미널은 1 차 전류 경로에서 차단됩니다. 따라서 전류가 게이트로 누출되지 않습니다.

MOSFET은 두 가지 주요 형태로 존재합니다.

• Depletion state− 컴포넌트를 끄 려면 게이트 소스 전압 (V _GB ) 이 필요합니다 . 게이트가 0 (V _GB )에있을 때 장치는 일반적으로 켜져 있으므로 주어진 논리 회로에 대한 부하 저항으로 작동합니다. N 형 고갈이있는 부하 장치의 경우 3V는 게이트를 음의 3V로 전환하여 장치가 꺼지는 임계 전압입니다.

• Enhancement state− 이 상태에서 구성 요소를 켜려면 게이트 소스 전압 (V _GB )이 필요합니다. 게이트가 0 (V _GB )에있을 때 장치는 일반적으로 꺼져 있으며 게이트 전압이 소스 전압보다 높은지 확인하여 스위치를 켤 수 있습니다.

기호 및 기본 구조

어디, D − 배수; G − 게이트 S− 출처 과Sub − 기판