อุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ - การให้น้ำหนัก JFET

มีสองวิธีที่ใช้ในการให้น้ำหนัก JFET: วิธีอคติตนเองและวิธีการแบ่งศักยภาพ ในบทนี้เราจะพูดถึงวิธีการทั้งสองนี้โดยละเอียด

วิธีอคติในตนเอง

รูปต่อไปนี้แสดงวิธีอคติในตัวของ n-channel JFET กระแสระบายไหลผ่านR_sและสร้างแรงดันไบอัสที่ต้องการ ดังนั้น,R_s คือตัวต้านทานอคติ

ดังนั้นแรงดันไฟฟ้าข้ามตัวต้านทานไบแอส

$$ V_s = I_ {DRS} $$

ดังที่เราทราบกันดีว่ากระแสประตูมีขนาดเล็กเล็กน้อยเทอร์มินัลประตูอยู่ที่กราวด์ DC, V _G = 0,

$$ V_ {GS} = V_G - V_s = 0 - I_ {DRS} $$

หรือ$ V_ {GS} = -I_ {DRS} $

V _GSช่วยให้ประตูลบ WRt ไปยังแหล่งที่มา

วิธีการแบ่งแรงดันไฟฟ้า

รูปต่อไปนี้แสดงวิธีการแบ่งแรงดันไฟฟ้าในการให้น้ำหนัก JFET ที่นี่ตัวต้านทาน R ₁และ R ₂สร้างวงจรแบ่งแรงดันไฟฟ้าข้ามแรงดันไฟฟ้าของท่อระบายน้ำ (V _DD ) และมีค่ามากหรือน้อยเหมือนกับที่ใช้ในการให้น้ำหนักทรานซิสเตอร์

แรงดันไฟฟ้าข้าม R ₂ให้อคติที่จำเป็น -

$$ V_2 = V_G = \ frac {V_ {DD}} {R_1 + R_2} \ ครั้ง R_2 $$

$ = V_2 + V_ {GS} + I_D + R_S $

หรือ$ V_ {GS} = V_2 - I_ {DRS} $

วงจรได้รับการออกแบบมาเพื่อให้ V _GSเป็นค่าลบเสมอ สามารถหาจุดปฏิบัติการได้โดยใช้สูตรต่อไปนี้ -

$$ I_D = \ frac {V_2 - V_ {GS}} {R_S} $$

และ$ V_ {DS} = V_ {DD} - I_D (R_D + R_S) $