อุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ - การให้น้ำหนักทรานซิสเตอร์

ทรานซิสเตอร์มีสามส่วน ได้แก่ - ส่วน emitter, base, และ collector.

  • base มีความบางกว่าตัวปล่อยมากและตัวสะสมนั้นค่อนข้างกว้างกว่าทั้งสองอย่าง

  • emitter ถูกเจืออย่างมากเพื่อให้สามารถฉีดตัวพาประจุจำนวนมากสำหรับการนำกระแส

  • ฐานจะส่งผ่านตัวพาประจุส่วนใหญ่ไปยังตัวสะสมเนื่องจากมีการเจือน้อยกว่าตัวปล่อยและตัวเก็บประจุเล็กน้อย

สำหรับการทำงานที่เหมาะสมของทรานซิสเตอร์พื้นที่ฐานของตัวปล่อยจะต้องมีความเอนเอียงไปข้างหน้าและพื้นที่ฐานตัวสะสมจะต้องมีความเอนเอียงแบบย้อนกลับ

ในวงจรเซมิคอนดักเตอร์แรงดันต้นทางเรียกว่าแรงดันไบแอส ในการทำงานทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์จะต้องมีทางแยกทั้งสองแบบเอนเอียง เงื่อนไขนี้ทำให้มีกระแสไหลผ่านวงจร พื้นที่พร่องของอุปกรณ์จะลดลงและผู้ให้บริการปัจจุบันส่วนใหญ่จะถูกฉีดเข้าไปในทางแยก หนึ่งในทางแยกของทรานซิสเตอร์จะต้องเอนเอียงไปข้างหน้าและอื่น ๆ จะต้องมีความเอนเอียงย้อนกลับเมื่อมันทำงาน

การทำงานของทรานซิสเตอร์ NPN

ดังที่แสดงในรูปด้านบนตัวปล่อยไปยังทางแยกฐานจะเอนเอียงไปข้างหน้าและตัวแยกไปยังทางแยกฐานจะเอนเอียงแบบย้อนกลับ ส่งต่ออคติบนตัวปล่อยไปยังทางแยกฐานทำให้อิเล็กตรอนไหลจากตัวปล่อยชนิด N ไปยังไบแอส เงื่อนไขนี้กำหนดกระแสตัวปล่อย (I E )

ในขณะที่ข้ามวัสดุประเภท P อิเล็กตรอนมักจะรวมตัวกับรูโดยทั่วไปมีน้อยมากและเป็นกระแสฐาน (I B ) อิเล็กตรอนส่วนที่เหลือข้ามบริเวณการพร่องบาง ๆ และไปถึงบริเวณตัวสะสม กระแสนี้ถือเป็นกระแสสะสม (I C )

กล่าวอีกนัยหนึ่งกระแสของตัวปล่อยจะไหลผ่านวงจรตัวเก็บรวบรวม ดังนั้นจึงถือได้ว่ากระแสอีซีแอลคือผลรวมของฐานและกระแสสะสม สามารถแสดงเป็น

ฉันE = ฉันB + ฉันC

การทำงานของทรานซิสเตอร์ PNP

ดังแสดงในรูปต่อไปนี้ตัวปล่อยไปยังทางแยกฐานจะเอนเอียงไปข้างหน้าและทางแยกตัวรวบรวมไปยังฐานจะเอนเอียงแบบย้อนกลับ ส่งต่ออคติบนตัวปล่อยไปยังทางแยกฐานทำให้รูไหลจากตัวปล่อยชนิด P ไปยังไบแอส เงื่อนไขนี้กำหนดกระแสตัวปล่อย (I E )

ในขณะที่ข้ามวัสดุประเภท N อิเล็กตรอนมักจะรวมตัวกับอิเล็กตรอนโดยทั่วไปมีน้อยมากและเป็นกระแสฐาน (I B ) ส่วนที่เหลือของรูข้ามพื้นที่พร่องบาง ๆ และไปถึงบริเวณตัวสะสม กระแสนี้ถือเป็นกระแสของตัวสะสม (I C )

กล่าวอีกนัยหนึ่งกระแสของตัวปล่อยจะไหลผ่านวงจรตัวเก็บรวบรวม ดังนั้นจึงถือได้ว่ากระแสอีซีแอลคือผลรวมของฐานและกระแสสะสม สามารถแสดงเป็น

ฉันE = ฉันB + ฉันC