パッシブトランスデューサー

passive transducerは、受動素子の変動を生成するトランスデューサです。抵抗、インダクタ、コンデンサなどの受動素子について検討します。したがって、選択した受動素子に応じて、次の3つの受動トランスデューサが得られます。

抵抗膜トランスデューサ
誘導トランスデューサ
容量性トランスデューサー

それでは、これら3つのパッシブトランスデューサについて1つずつ説明しましょう。

抵抗膜トランスデューサ

パッシブトランスデューサは、 resistive transducer、抵抗値の変動（変化）が発生した場合。次の式resistance、金属導体のR。

$$ R = \ frac {\ rho \：l} {A} $$

どこ、

$ \ rho $は導体の抵抗率です

$ l $は導体の長さです

$ A $は導体の断面積です

抵抗値は、3つのパラメータ$ \ rho、l $、および$ A $に依存します。だから、私たちは作ることができますresistive transducers3つのパラメーター$ \ rho、l $、および$ A $のいずれかの変動に基づいています。これら3つのパラメータのいずれかが変化すると、抵抗値が変化します。

抵抗、Rはに正比例します resistivity指揮者の$ \ rho $。したがって、導体の抵抗率として、$ \ rho $は抵抗値を増加させ、Rも増加します。同様に、導体の抵抗率$ \ rho $が抵抗値を減少させると、Rも減少します。
抵抗、Rはに正比例します length指揮者の$ l $。したがって、導体の長さが$ l $になると抵抗の値が大きくなり、Rも大きくなります。同様に、導体の長さが$ l $になると抵抗の値が減少し、Rも減少します。
抵抗、Rはに反比例します cross sectional area指揮者の$ A $。したがって、導体の断面積として、$ A $は抵抗の値を増加させ、Rは減少させます。同様に、導体の断面積として、$ A $は抵抗の値を減少させ、Rは増加します。

誘導トランスデューサ

パッシブトランスデューサは、 inductive transducer、インダクタンス値の変動（変化）が発生した場合。次の式inductance、インダクタのL。

$ L = \ frac {N ^ {2}} {S} $式1

どこ、

$ N $はコイルの巻数です

$ S $はコイルの巻数です

次の式 reluctance、コイルのS。

$ S = \ frac {l} {\ mu A} $式2

どこ、

$ l $は磁気回路の長さです

$ \ mu $はコアの透磁率です

$ A $は、磁束が流れる磁気回路の面積です。

式1の式2を代入します。

$$ L = \ frac {N ^ {2}} {\ left（\ frac {l} {\ mu A} \ right）} $$

$ \ Rightarrow L = \ frac {N ^ {2} \ mu A} {l} $式3

式1と式3から、インダクタンス値は3つのパラメータ$ N、S $と$ \ mu $に依存すると結論付けることができます。だから、私たちは作ることができますinductive transducers3つのパラメータ$ N、S $および$ \ mu $のいずれかの変動に基づいています。なぜなら、これら3つのパラメータのいずれかが変化すると、インダクタンス値が変化するからです。

インダクタンス、Lは2乗に正比例します number of turns of coil。したがって、コイルの巻き数に応じて、$ N $はインダクタンスの値を増加させ、$ L $も増加します。同様に、コイルの巻数が増えると、$ N $はインダクタンスの値を減らし、$ L $も減少します。
インダクタンス、$ L $は反比例します reluctance of coil、$ S $。したがって、コイルの磁気抵抗として、$ S $はインダクタンスの値を増加させ、$ L $は減少させます。同様に、コイルの磁気抵抗として、$ S $はインダクタンスの値を減少させ、$ L $は増加します。
インダクタンス、Lはに正比例します permeability of core、$ \ mu $。したがって、コアの透磁率、$ \ mu $がインダクタンスの値を増加させると、Lも増加します。同様に、コアの透磁率、$ \ mu $がインダクタンスの値を減少させると、Lも減少します。

容量性トランスデューサー

パッシブトランスデューサは、 capacitive transducer、静電容量値の変動（変化）が発生した場合。次の式capacitance、平行平板コンデンサのC。

$$ C = \ frac {\ varepsilon A} {d} $$

どこ、

$ \ varepsilon $は、誘電率または誘電率です。

$ A $は、2つのプレートの有効面積です。

$ d $は2つのプレートの有効面積です

静電容量の値は、3つのパラメーター$ \ varepsilon、A $、および$ d $に依存します。だから、私たちは作ることができますcapacitive transducers3つのパラメータ$ \ varepsilon、A $＆$ d $のいずれかの変動に基づいています。なぜなら、これら3つのパラメータのいずれかが変化すると、静電容量値が変化するからです。

静電容量、Cはに正比例します permittivity、$ \ varepsilon $。したがって、誘電率として、$ \ varepsilon $は静電容量の値を増加させ、Cも増加します。同様に、誘電率として、$ \ varepsilon $は静電容量の値を減少させ、Cも減少します。
静電容量、Cはに正比例します effective area of two plates、$ A $。したがって、2つのプレートの有効面積として、$ A $は静電容量の値を増加させ、Cも増加します。同様に、2つのプレートの有効面積として、$ A $は静電容量の値を減少させ、Cも減少します。
静電容量、Cはに反比例します distance between two plates、$ d $。したがって、2つのプレート間の距離が増加すると、$ d $は静電容量の値を増加させ、Cは減少します。同様に、2つのプレート間の距離として、$ d $は静電容量の値を減少させ、Cは増加します。

この章では、3つのパッシブトランスデューサについて説明しました。次の章では、各パッシブトランスデューサの例について説明します。