Конфигурация транзисторов
Когда в цепь включен транзистор, требуются четыре вывода или вывода или ножки, по два для входа и выхода. Поскольку мы знаем, что транзисторы имеют только 3 вывода, эту ситуацию можно преодолеть, сделав один из выводов общим для входной и выходной секции. Соответственно, транзистор может быть подключен в трех следующих конфигурациях:
- Общая базовая конфигурация
- Общая конфигурация эмиттера
- Общая конфигурация коллектора
Ниже приведены некоторые важные моменты, которые следует учитывать при работе транзисторов.
Транзистор может работать в трех областях: активная область, область насыщения и область отсечки.
При использовании транзистора в активной области переход база-эмиттер смещен в прямом направлении, а переход коллектор-база - в обратном направлении.
При использовании транзистора в области насыщения переход база-эмиттер смещен в прямом направлении, а переход коллектор-база также смещен в прямом направлении.
Когда транзистор используется в области отсечки, переход база-эмиттер и переход коллектор-база имеют обратное смещение.
Сравнение конфигурации транзисторов
В следующей таблице показано сравнение конфигурации транзисторов.
Характеристики | Общий эмиттер | Общая база | Общий Коллекционер |
---|---|---|---|
Текущая прибыль | Высоко | Нет | Значительный |
Приложения | Частота звука | Высокая частота | Согласование импеданса |
Входное сопротивление | Низкий | Низкий | Очень высоко |
Выходное сопротивление | Высоко | Очень высоко | Низкий |
Повышение напряжения | Прибл. 500 | Прибл. 150 | Менее 1 |
Преимущества и недостатки транзисторов
В следующей таблице перечислены преимущества и недостатки транзисторов.
Преимущества | Недостатки |
---|---|
Низкое напряжение источника | Температурная зависимость |
Усиление высокого напряжения | Низкое рассеивание мощности |
Меньше по размеру | Низкое входное сопротивление |
Текущий коэффициент усиления (α)
Отношение изменения тока коллектора к изменению тока эмиттера при постоянном напряжении коллектора к напряжению базы Vcb известен как коэффициент усиления тока ‘α’. Это можно выразить как
$ \ alpha = \ frac {\ Delta I_C} {\ Delta I_B} $ при постоянном V CB
Понятно, что коэффициент усиления по току меньше единицы и обратно пропорционален току базы, считая, что база слаболегированная и тонкая.
Коэффициент усиления базового тока (β)
Это отношение изменения тока коллектора к изменению тока базы. Небольшое изменение тока базы приводит к очень большому изменению тока коллектора. Следовательно, транзистор может достигать усиления по току. Это можно выразить как
$$ \ beta = \ frac {\ Delta I_C} {\ Delta I_B} $$
Транзистор как усилитель
На следующем рисунке показано, что нагрузочный резистор (R L ) включен последовательно с питающим напряжением коллектора (V cc ). Небольшое изменение напряженияΔVi между эмиттером и базой вызывает относительно большое изменение тока эмиттера ΔIE.

Мы определяем символом «а» - долю этого текущего изменения, - которое собирается и проходит через RL. Изменение выходного напряжения на нагрузочном резистореΔVo = a’RL ΔIEможет быть во много раз изменения входного напряжения & Dgr ; v I . В этих условиях усиление напряженияA == VO/ΔVI будет больше единицы, и транзистор действует как усилитель.