Полупроводниковые приборы - зона истощения

Первоначально, когда образуется переходной диод, между носителями тока происходит уникальное взаимодействие. В материале N-типа электроны легко перемещаются через переход, заполняя дыры в P-материале. Этот акт обычно называютdiffusion. Диффузия является результатом большого скопления носителей в одном материале и меньшего скопления в другом.

Как правило, носители тока, которые находятся рядом с переходом, принимают участие только в процессе диффузии. Электроны, покидающие материал N, вызывают образование на их месте положительных ионов. При входе в материал P для заполнения дырок, эти электроны создают отрицательные ионы. В результате каждая сторона перехода содержит большое количество положительных и отрицательных ионов.

Область, в которой эти дырки и электроны истощаются, обычно называют областью истощения. Это область, где нет большинства носителей тока. Обычно при образовании PN-перехода возникает область истощения. На следующем рисунке показана область обеднения переходного диода.