Полупроводниковые приборы - смещение транзисторов
Транзисторы имеют три секции, а именно - emitter, то base, а collector.
В base намного тоньше эмиттера, а коллектор сравнительно шире обоих.
В emitter сильно легирован, так что он может инжектировать большое количество носителей заряда для проведения тока.
База передает большую часть носителей заряда на коллектор, поскольку она сравнительно слабо легирована, чем эмиттер и коллектор.
Для правильного функционирования транзистора область эмиттер-база должна иметь прямое смещение, а область коллектор-база - обратное.
В полупроводниковых схемах напряжение источника называется напряжением смещения. Для работы биполярные транзисторы должны иметь смещенные переходы. Это условие вызывает прохождение тока через цепь. Область истощения устройства уменьшается, и большинство носителей тока вводятся в сторону перехода. При работе один из переходов транзистора должен быть смещен в прямом направлении, а другой - в обратном.
Работа транзистора NPN
Как показано на приведенном выше рисунке, переход эмиттер-база смещен в прямом направлении, а переход коллектор-база - в обратном направлении. Прямое смещение на переходе эмиттер-база заставляет электроны течь от эмиттера N-типа в сторону смещения. Это условие формулирует ток эмиттера (I E ).
Пересекая материал P-типа, электроны имеют тенденцию объединяться с дырками, обычно очень небольшими, и составляют базовый ток (I B ). Остальные электроны пересекают тонкую обедненную область и достигают области коллектора. Этот ток составляет ток коллектора (I C ).
Другими словами, ток эмиттера фактически протекает через цепь коллектора. Следовательно, можно считать, что ток эмиттера представляет собой сумму тока базы и коллектора. Это может быть выражено как,
I E = I B + I C
Работа транзистора PNP
Как показано на следующем рисунке, переход эмиттер-база смещен в прямом направлении, а переход коллектор-база - в обратном направлении. Прямое смещение на переходе эмиттера к базе заставляет отверстия течь от эмиттера P-типа в сторону смещения. Это условие формулирует ток эмиттера (I E ).
Пересекая материал N-типа, электроны имеют тенденцию объединяться с электронами, обычно очень небольшими, и составляют основной ток (I B ). Остальные отверстия пересекают тонкую обедненную область и достигают области коллектора. Этот ток составляет ток коллектора (I C ).
Другими словами, ток эмиттера фактически протекает через цепь коллектора. Следовательно, можно считать, что ток эмиттера представляет собой сумму тока базы и коллектора. Это может быть выражено как,
I E = I B + I C