パワーエレクトロニクス-MOSFET

金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）は、電子信号を切り替えるために使用されるトランジスタの一種です。つまり、4つの端子があります。ソース（S）、ドレイン（D）、ゲート（G）、ボディ（B）MOSFETのボディは通常、ソース（S）の端子に接続されているため、他の電界効果トランジスタと同様の3端子デバイスになります（ FET）。これらの2つの主端子は通常、短絡を介して相互接続されているため、電気回路図では3つの端子のみが表示されます。

これは、デジタルとアナログの両方の回路で最も一般的なデバイスです。通常のトランジスタと比較して、MOSFETはスイッチをオンにするために低電流（1ミルアンペア未満）を必要とします。同時に、50アンペアを超える大電流負荷を供給します。

MOSFETの動作

MOSFETには、コンデンサのプレートとして機能する二酸化ケイ素の薄層があります。制御ゲートを分離すると、MOSFETの抵抗が非常に高いレベル（ほぼ無限大）に上昇します。

ゲート端子は一次電流経路から遮断されています。したがって、電流がゲートに漏れることはありません。

MOSFETは2つの主要な形態で存在します-

• Depletion state−これには、コンポーネントをオフに切り替えるためのゲート-ソース間電圧（V _GB）が必要です。ゲートがゼロ（V _GB）の場合、デバイスは通常オンになっているため、特定の論理回路の負荷抵抗として機能します。N型消耗のあるデバイスに負荷をかける場合、3Vは、負の3Vでゲートを切り替えることによってデバイスがオフになるしきい値電圧です。

• Enhancement state−この状態でコンポーネントをオンにするには、ゲート-ソース間電圧（V _GB）が必要です。ゲートがゼロ（V _GB）の場合、デバイスは通常オフであり、ゲート電圧がソース電圧よりも高いことを確認することでオンに切り替えることができます。

記号と基本構造

どこ、 D −排水; G −ゲート; S−ソース; そしてSub −基板