Transistörün Çalışma Bölgeleri
DC kaynağı, bir transistörün çalışması için sağlanır. Bu DC kaynağı, bu yayıcı ve kolektör bağlantılarındaki çoğunluk taşıyıcıların eylemlerini etkileyen bir transistörün iki PN bağlantısına verilir.
Kavşaklar ileriye dönüktür ve gereksinimlerimize göre ters yönlüdür. Forward biased p-tipine pozitif gerilimin ve n-tipi malzemeye negatif gerilimin uygulandığı durumdur. Reverse biased n-tipine pozitif, p-tipi malzemeye negatif gerilim uygulandığı durumdur.
Transistör önyargısı
Uygun harici dc gerilimin beslenmesine biasing. Transistörün yayıcı ve toplayıcı bağlantılarına ileri veya geri öngerilim yapılır. Bu öngerilim yöntemleri, transistör devresinin aşağıdaki gibi dört tür bölgede çalışmasını sağlar.Active region, Saturation region, Cutoff region ve Inverse active region(nadiren kullanılır). Bu, aşağıdaki tabloya bakılarak anlaşılır.
| EMITTER KAVŞAK | KOLLEKTÖR KAVŞAK | ÇALIŞMA BÖLGESİ |
|---|---|---|
| İleri taraflı | İleri taraflı | Doygunluk bölgesi |
| İleri taraflı | Ters taraflı | Aktif bölge |
| Ters taraflı | İleri taraflı | Ters aktif bölge |
| Ters taraflı | Ters taraflı | Kesim bölgesi |
Bu bölgeler arasında aktif bölgenin tam tersi olan Ters aktif bölge herhangi bir uygulama için uygun olmadığı için kullanılmamaktadır.
Aktif bölge
Bu, transistörlerin birçok uygulamaya sahip olduğu bölgedir. Bu aynı zamandalinear region. Bu bölgedeyken bir transistör, birAmplifier.
Bu bölge doygunluk ve kesme arasında yer alır. Transistör, verici bağlantısı ileri eğilimli olduğunda ve kolektör bağlantısı ters eğilimli olduğunda aktif bölgede çalışır. Aktif durumda, toplayıcı akımı temel akımın β katıdır, yani,
$$ I_ {C} \: = \: \ beta I_ {B} $$
Nerede,
$ I_ {C} $ = toplayıcı akımı
$ \ beta $ = mevcut büyütme faktörü
$ I_ {B} $ = temel akım
Doygunluk bölgesi
Bu, transistörün kapalı bir anahtar gibi davranma eğiliminde olduğu bölgedir. Transistör, kollektörünün ve Vericinin kısaltılması etkisine sahiptir. Kollektör ve Verici akımları bu çalışma modunda maksimumdur.
Aşağıdaki şekil doygunluk bölgesinde çalışan bir transistörü göstermektedir.
Transistör, hem yayıcı hem de toplayıcı bağlantıları ileri doğru eğilimli olduğunda doyma bölgesinde çalışır. Doygunluk bölgesinde transistörün kapalı bir anahtar gibi davranma eğiliminde olduğu anlaşıldığı gibi, şunu söyleyebiliriz,
$$ I_ {C} \: = \: I_ {E} $$
$ I_ {C} $ = toplayıcı akımı ve $ I_ {E} $ = emitör akımı.
Kesim bölgesi
Bu, transistörün açık bir anahtar gibi davranma eğiliminde olduğu bölgedir. Transistör, kollektörünün ve tabanının açılma etkisine sahiptir. Bu çalışma modunda toplayıcı, yayıcı ve temel akımların tümü sıfırdır.
Aşağıdaki şekil, kesme bölgesinde çalışan bir transistörü göstermektedir.
Transistör, hem yayıcı hem de toplayıcı bağlantıları ters eğilimli olduğunda kesme bölgesinde çalışır. Kesme bölgesinde olduğu gibi kollektör akımı, emitör akımı ve taban akımları sıfırdır, şöyle yazabiliriz
$$ I_ {C} \: = \: I_ {E} \: = \: I_ {B} \: = \: 0 $$
$ I_ {C} $ = toplayıcı akımı, $ I_ {E} $ = yayıcı akımı ve $ I_ {B} $ = temel akım.