Simulation de LTspice paire à longue queue
J'ai eu du mal à concevoir un amplificateur à transistor à longue queue.
Vdd2 est 5V et les résistances de 6,8k ohms étaient déjà données. J'essaie d'obtenir une tension de polarisation de 0,8 V au transistor Q3, et la tension maximale à travers l'émetteur du transistor devrait être de 1 mA.
La première chose que j'ai faite a été de sélectionner des valeurs pour Rb1 et Rb2, pour définir la tension de base pour Q1 et Q2. La tension de base que j'obtiens est d'environ 1V. J'obtiens également mon résultat calculé de la simulation LTspice.
La tension d'émetteur de Q1 et Q2 doit être inférieure de 0,6 V à la tension de base. Cependant, j'obtiens 0,946V pour la tension d'émetteur de Q1 et Q2, 0,09V à Vbias et 0v à l'émetteur de Q3.
Comment changer les valeurs de ma résistance pour Rc1, Rc2 et Re afin d'obtenir Vbias autour de 0.8V?
Réponses
A) Vous devez utiliser +10 volts, de sorte que les transistors aient suffisamment de marge pour fonctionner dans une région linéaire (non saturée). Maintenant, vous aurez environ 2 volts pour que la pile de transistors (source de courant constant et différentiel) fonctionne.
B) Vous devez ajouter un QUATRIÈME transistor, vers le bas par Q3, également avec 180 ohms dans l'émetteur.
Attachez le collecteur à la base et attachez-le à la base de Q3.
Ajoutez ensuite une autre résistance à + Rail, qui définit le courant.
Essayez 10Kohm de ce nœud occupé (base et collecteur du nouveau bipolaire, plus base de Q3, PLUS la nouvelle résistance (10Kohm)) à +10 volts.
C) en utilisant des résistances de polarisation (27K et 6,8K) d'une valeur aussi élevée, le BETA devient important. Je réduirais ces résistances de polarisation de 4: 1, jusqu'à 8,2K et 1,8K). Avec cela, le biais devient plus prévisible.
D) maintenant --- quel sera le gain? les gens suggèrent de modéliser cette différence comme (1) un emitter_follower conduisant un common_base
Ainsi, l'agitation de la base Q1 de 0,01 volts (suffisamment faible pour avoir une faible distorsion) agitera son émetteur d'environ 0,05 volts, et nous nous attendons à ce que la base Q2 soit peu agitée, mais vous devriez vérifier; si cette base remue, installez le capuchon 1 uF.
Nous avons besoin de la transconductance (gm) des transistors différentiels.
Avec une polarisation de 10Kohm Q4 (le nouveau transistor) avec 0,92 milliAmps, divisé à 50% en Q1 et Q2, le "reac" (1 / g) de chacun sera de 26 ohms / 0,46 mA = = 54 ohms.
Le double, à 108 ohms.
Divisez maintenant la résistance de collecteur 5,600 / 108 === gain de 50X.