Osilatör GND'nin yanında yüksek hızlı IC GND
Zemin düzlemi ile 4 katmanlı bir tahta tasarlıyorum. Mevcut düzenimde, bir osilatör IC'nin zemin VIA'sı, yüksek hızlı bir IC'nin zemin VIA'sına çok yakın. Yüksek hızlı IC'nin geri dönen akımlarının osilatörü etkileme ihtimali var mı?
Düzenle:
İki IC, PCB'nin zıt taraflarında, osilatör altta, yüksek hızlı IC üstte. Zemin düzlemi üst katmana daha yakındır.
Yanıtlar
Osilatör IC'nin sonlu PSRR'ye sahip olacağı göz önüne alındığında, elbette yüksek hızlı IC, osilatör IC'sini etkileyecektir. Ama ne kadar etkiye (faz gürültüsü, zamanlama titreşimi) tahammül edeceksiniz?
Etkiye bazı (en kötü durum) sayılar koyalım.
1 nanoHenry bağlantısını varsayın. Yüksek hızlı IC'den ZEMİN yoluyla 10mA / 1nanoSaniye olduğunu varsayalım.
İndüklenen voltaj (V = L * dI / dT) = 1e-9 Henry * 0.01 amp / 1nS == olacaktır.
- Osilatör IC aracılığıyla zeminde 10 milivolt bozuldu.
Umurunda mı?
Harici Ayar voltajları varsa, ilgilenebilirsiniz.
Osilatörün rezonans akımları HARİCİ OLARAK dolaşıyorsa, o zaman umursuyorsunuz.
=================================================
Şimdi indüklenen time_error'u hesaplayalım (zaman seğirmesi, benzer faz gürültüsü, ancak rastgele değil).
Osilatörün içinde 1 volt Tepe sinyali bulunan 10 MHZ osilatör varsayalım. SlewRate, sıfır geçişte 2 * PI * 10MHz * 1 volt = 63.000.000 volt / saniyedir.
Ve sıfır geçiş enerjisinin bozulması olan "gürültü" olarak bu 0.01 volt'u kullanalım.
Tj = Vnoise / SlewRate = 0.01volts / (63.000.000 volt / saniye)
Tj = 16 nanoSeconds veya 160 picoSecods'un% 1'i.
MCU'nun Ground Via'dan çöp attığı her yerde 160 picoSeconds düzeninde osilatörün zero_crossing'in aniden değişmesi, sisteminiz için önemli mi?