パワーMOSFET（Smart HITFET）のバックフィードとオン

Question

私は12v負荷を駆動するBTS142D「スマート」FETローサイドスイッチを持っています。回路のロジック（ゲート）側がパワーダウンされているが12vロードがパワーされている（Vbb = 12v）場合を除いて、すべてうまく機能し、バックフィードします。デバイス（おそらく保護回路）を介して、ゲートピン（Vin）を最大5vまで引き上げ、それ自体をオンにします。

これは、入力に十分な剛性のあるプルダウン抵抗を追加するのと同じくらい簡単ですか、それともいくつかの設計基準を見逃しましたか？

データシート/ appnotesはこの振る舞いについて何も述べていません。

Answer 1

データシート/ appnotesはこの振る舞いについて何も述べていません。

データシートには、オン状態の入力電流が30uAにもなる可能性があることが示されています。また、アクティブ化の入力しきい値電圧が0.8ボルト（最悪の場合）まで低くなる可能性があることも示しています。ですから、当然、26.7キロオーム未満の並列抵抗を選びたいと思います。10kΩのプルダウン抵抗を使用します。他に情報がない場合は、データシートを作成する必要があります。

疑わしい場合は、製造元に問い合わせてください。

Answer 2

フォローアップして、問題の原因を見つけたと言うだけで、BTSデバイスとは何の関係もありません。実際には、テストリグを通るやや複雑なパスを介した電力のバックフィードでした。

ただし、Andy akaのアドバイスに従って、安全のために、ボードの次のリビジョンに10kプルダウンを配置します。